ირგვლივ 30 ვატიანი ტოროიდული ტრანსფორმატორი დევს, გამომავალი ძაბვით 20 ვოლტი. გადავწყვიტე ამის საფუძველზე რაღაც წესიერი გამეკეთებინა. დამტენიდა ეს არის ის, რაც მოხდა. დატენვის მაქსიმალური დენი არის 1A, მაგრამ მისი ადვილად გაზრდა შესაძლებელია უფრო მძლავრი ძაბვის წყაროს დაყენებით - ტრანსფორმატორი 100 ვატი ან მეტი. სქემატური დიაგრამაიგი დაფუძნებულია PWM გენერატორზე - ტაიმერის ჩიპზე NE555 (KR1006VI1), საიდანაც პულსები იგზავნება საველე ეფექტის ტრანზისტორის კარიბჭეში, რომელიც ცვლის დატვირთვას - ბატარეას. კიდევ ერთი ძლიერი ტრანზისტორი გამორთავს ბატარეას საგანგებო სიტუაციებში.

წრე დადებითად ადარებს სხვებს, რადგან მას აქვს მარტივი და საიმედო დაცვა გამომავალი ზონდების მოკლე ჩართვისა და პოლარობის შებრუნებისგან, დამუხტვის გამორთვისა და LED-ის ჩართვისას. მას შემდეგ, რაც LED განათდა ოდნავ, (ის, რომელიც იცავს) აღმოჩნდა 1.8 ვოლტი, გადავწყვიტე, რომ არ დამეზარა, არ შეესაბამებოდეს სხვადასხვა LED-ებს, არამედ დამეყენებინა ტრიმერი.

სწრაფად გავაკეთე, უბრალოდ ავიღე და გავაერთიანე ორი დაფა - გენერატორი და დაცვა. დამტენი აწყობილი და წარმატებით გამოცდილი - მუშაობს მშვენივრად! სიცხადისთვის, დამტენი აღჭურვა ამპერითა და ვოლტმეტრით, რათა ნებისმიერ დროს დავაკვირდე დატენვის პროცესს.

თქვენ შეგიძლიათ დააინსტალიროთ ნებისმიერი N-არხის საველე ეფექტის ტრანზისტორი წრეში საჭირო დენისთვის. დამტენთან დაკავშირებული ბატარეა შეიძლება იყოს ნიკელ-კადმიუმი, ტყვიის გელი, ნიკელის ლითონის ჰიდრიდი ან ლითიუმის იონი. თუმცა, ამ უკანასკნელ შემთხვევაში, გთხოვთ გაითვალისწინოთ, რომ მასზე არ უნდა იყოს კონტროლერი (როგორც ბატარეაში მობილური ტელეფონი), ვინაიდან დატენვა ხდება მაღალი ძაბვის იმპულსებში. მეორეს მხრივ, დატენვის ეს მეთოდი მისასალმებელია, რადგან ეს პულსები ანადგურებს ოქსიდს, რომელიც ფარავს ბატარეის შიდა ფირფიტებს, წარმოქმნის დესულფაციას. ზოგადად, შედეგი არის მარტივი, საიმედო და ფუნქციონალური დატენვის სქემა მრავალი ტიპის ბატარეისთვის.

„ტირისტორის დამტენი ბლოკის“ სქემისთვის

კრასიმირ რილჩევის ტირისტორის დამტენი მოწყობილობა განკუთვნილია სატვირთო მანქანებიდა ტრაქტორები. ის უზრუნველყოფს მუდმივად რეგულირებად (რეზისტორი RP1) დამუხტვის დენს 30 ა-მდე. რეგულირების პრინციპი არის ფაზური იმპულსური დაფუძნებული ტირისტორებზე, რაც უზრუნველყოფს მაქსიმალურ ეფექტურობას, ენერგიის მინიმალურ გაფრქვევას და არ საჭიროებს გამსწორებელ დიოდებს. ქსელის ტრანსფორმატორი დამზადებულია მაგნიტურ ბირთვზე 40 სმ2 კვეთით, პირველადი გრაგნილი შეიცავს PEL-1.6-ის 280 ბრუნს, მეორადი გრაგნილი შეიცავს PEL-3.0-ის 2x28 ბრუნს. ტირისტორები დამონტაჟებულია 120x120 მმ რადიატორებზე. ...

ელექტრომომარაგების ამომრთველები ელექტრონული რეგულატორით გამომსწორებელი (ნახ. 1) აწყობილია ხიდის წრედის გამოყენებით D305 ტიპის ოთხი D1 - D4 დიოდის გამოყენებით. დატენვის დენი რეგულირდება. მძლავრი ტრანზისტორი T1-ის გამოყენებით, რომელიც დაკავშირებულია რთული ტრიოდური სქემის მიხედვით. როდესაც R1 პოტენციომეტრიდან ტრიოდის ძირზე ამოღებული მიკერძოება იცვლება, იცვლება ტრანზისტორის კოლექტორ-ემიტერის წრედის წინააღმდეგობა. ამ შემთხვევაში, დამტენის დენი შეიძლება შეიცვალოს 25 mA-დან 6 A-მდე, ძაბვით რექტფიკატორის გამომავალზე 1.5-დან 14 ვ-მდე. ნახაზი 1 რეზისტორი R2 რექტფიკატორის გამოსავალზე საშუალებას გაძლევთ დააყენოთ რექტფიკატორის გამომავალი ძაბვა დატვირთვისას. გამორთულია. ტრანსფორმატორი აწყობილია ბირთვზე 6 სმ კვდ. პირველადი გრაგნილი შექმნილია 127 ვ ძაბვის ქსელთან დასაკავშირებლად (ქინძისთავები 1-2) ან 220 ვ (1-3) და შეიცავს 350+325 შემობრუნებას PEV 0.35 მავთულს, მეორადი გრაგნილი - 45 ბრუნს PEV. 1.5 მავთული. დაფის ელექტრული დიაგრამა 2100--18 ტრანზისტორი T1 დამონტაჟებულია ლითონის რადიატორზე რადიატორის ზედაპირის ფართობი უნდა იყოს მინიმუმ 350 სმ2. ზედაპირი გათვალისწინებულია ფირფიტის ორივე მხარეს მინიმუმ 3 მმ სისქით. B. VASILIEV დიაგრამა ნაჩვენებია ნახ. 2 განსხვავდება წინადან იმით, რომ მაქსიმალური დენის 10 o-მდე გაზრდის დავალებით, ტრანზისტორები T1 და T2 დაკავშირებულია პარალელურად. ტრანზისტორების ფუძეებზე მიკერძოება, რომლის ცვლილებითაც რეგულირდება დამუხტვის დენი, ამოღებულია D5 - D6 დიოდებზე დამზადებული რექტიფიკატორიდან. 6 ვოლტის დატენვისას ბატარეებიგადამრთველი დაყენებულია 1 პოზიციაზე, 12 ვოლტი - პოზიციაზე 2.P...

სქემისთვის "რექტიფიკატორები ელექტრონული რეგულატორით ბატარეების დატენვისთვის"

საავტომობილო ელექტრონიკა Rectifier ელექტრონულ რეგულატორით Rectifier (ნახ. 1) აწყობილია ხიდის სქემის გამოყენებით D305 ტიპის ოთხი D1 - D4 დიოდის გამოყენებით. დატენვის დენი რეგულირდება. მძლავრი ტრანზისტორი T1-ის გამოყენებით, რომელიც დაკავშირებულია რთული ტრიოდური სქემის მიხედვით. როდესაც R1 პოტენციომეტრიდან ტრიოდის ძირზე ამოღებული მიკერძოება იცვლება, იცვლება ტრანზისტორის კოლექტორ-ემიტერის წრედის წინააღმდეგობა. ამ შემთხვევაში, დატენვის დენი შეიძლება შეიცვალოს 25 mA-დან 6 A-მდე, ძაბვით რექტფიკატორის გამომავალზე 1.5-დან 14 ვ-მდე. სურათი 1 Resistor R2 გამომსწორებლის გამოსავალზე საშუალებას გაძლევთ დააყენოთ რექტფიკატორის გამომავალი ძაბვა დატვირთვისას. გამორთულია. ტრანსფორმატორი აწყობილია ბირთვზე 6 სმ კვდ. ფაზა-პულსის სიმძლავრის რეგულატორი CMOS-ზე პირველადი გრაგნილი განკუთვნილია ქსელთან დასაკავშირებლად 127 V (ქინძისთავები 1-2) ან 220 ვ (1-3) ძაბვისთვის და შეიცავს 350+325 PEV 0.35 მავთულს, მეორადს. გრაგნილი - PEV 1 მავთულის 45 ბრუნი, 5. ტრანზისტორი T1 დამონტაჟებულია ლითონის რადიატორზე, რადიატორის ზედაპირის ფართობი უნდა იყოს მინიმუმ 350 სმ2. ზედაპირი გათვალისწინებულია ფირფიტის ორივე მხარეს მინიმუმ 3 მმ სისქით. B. VASILIEV დიაგრამა ნაჩვენებია ნახ. 2 განსხვავდება წინადან იმით, რომ მაქსიმალური დენის 10 o-მდე გაზრდის დავალებით, ტრანზისტორები T1 და T2 დაკავშირებულია პარალელურად. ტრანზისტორების ფუძეებზე მიკერძოება, რომლის ცვლილებითაც რეგულირდება დამუხტვის დენი, ამოღებულია D5 - D6 დიოდებზე დამზადებული რექტიფიკატორიდან. 6 ვოლტის დატენვისას ბატარეებიგადამრთველი დაყენებულია 1 პოზიციაზე, 12 ვოლტი - პოზიცია 2....

სქემისთვის "ინტელექტუალური ტაიმერის გამოყენება ძაბვის ავტომატური კონტროლისთვის"

ელექტრომომარაგება ინტეგრალური ტაიმერის გამოყენებით ძაბვის ავტომატურად გასაკონტროლებლად McGowan Stoelting Co. (ჩიკაგო, IL) ბატარეის ავტომატური დამტენის აწყობა შესაძლებელია Type 555 ინტეგრირებული ტაიმერის გამოყენებით. ასეთი დამტენის დანიშნულებაა შეინარჩუნოს სრულად დატენილი სარეზერვო ბატარეა ნებისმიერი საზომი მოწყობილობის კვებისათვის. ასეთი ბატარეა მუდმივად რჩება ქსელთან დაკავშირებული ალტერნატიული დენიმიუხედავად იმისა, გამოიყენება თუ არა ამ მომენტშიჩართოთ მოწყობილობა თუ არა. ინტეგრირებული ტაიმერის ავტომატური დამტენი იყენებს როგორც შედარებს, ასევე ლოგიკურ ფლიპ-ფლოპს და მძლავრ გამომავალ გამაძლიერებელს. საცნობარო ზენერის დიოდი D1, შიდა რეზისტენტული გამყოფის მეშვეობით, აწვდის ორივე შედარებელს. ძაბვის რეგულატორი T142-80-ზე ძაბვა ტაიმერის გამომავალზე (პინი 3) იცვლება 0 და 10 ვ დონეებს შორის. კალიბრაციის დროს სქემანიკელ-კადმიუმის ბატარეის ნაცვლად ბატარეებიმოიცავს რეგულირებადი DC ძაბვის წყაროს. "გამორთული" პოტენციომეტრი დაყენებულია საჭირო საბოლოო ძაბვაზე დამუხტვაბატარეები (ჩვეულებრივ 1.4 ვ თითო უჯრედზე), "On" პოტენციომეტრში - საჭირო საწყის ძაბვამდე დამუხტვა(როგორც წესი, 1,3 ვ თითო ელემენტზე რეზისტორი R1 ინარჩუნებს სამუშაო დენს 200 mA-ზე ნაკლებს ყველა პირობებში). დიოდი D2 ხელს უშლის ბატარეის დაცლას ტაიმერის საშუალებით...

მიკროსქემისთვის "დამტენი 3-6 ვოლტიანი ბატარეებისთვის"

შემოთავაზებული დამტენი განკუთვნილია სტაბილური დენისთვის, პირველ რიგში მაინერის ბატარეებისთვის, რომლებსაც პოპულარულად უწოდებენ "ცხენის მრბოლელებს". მათი თვითგანთავისუფლება ძალიან მაღალია. ეს ნიშნავს, რომ ერთი თვის განმავლობაში, თუნდაც დატვირთვის გარეშე, იგივე ბატარეა უნდა დაიტენოს. მოწყობილობა ადვილად მოდიფიცირებულია 12 ვოლტიანი ბატარეებისთვის, ის ასევე შესაფერისია (მოდიფიკაციის გარეშე) 6 ვოლტიანი ბატარეებისთვის. დამტენის წრე ძალიან მარტივია (იხ. სურათი). რექტიფიკატორი და ტრანსფორმატორი არ არის ნაჩვენები დიაგრამაზე. მეორადი გრაგნილი უზრუნველყოფს დატვირთვის დენს 3 ა-ზე მეტი 12 ვ ძაბვის დროს. ხიდის გამსწორებელი D242A დიოდებით, ფილტრის კონდენსატორი - 2000 μFx50 V (K50-6). T160 დენის რეგულატორის წრე, საველე ეფექტის ტრანზისტორი ტიპის KP302B (2P302B, KP302BM) საწყისი გადინების დენით 20-30 mA. ზენერის დიოდი VD1 ტიპის D818 (D809). ტრანზისტორი ტიპის KT825 ნებისმიერი ასოთი. ის შეიძლება შეიცვალოს დარლინგტონის სქემით, მაგალითად, KT818A და KT814A და ა.შ. რეზისტორი R1 ტიპის MLT-0.25; რეზისტორი R2 ტიპის PPZ-14, მაგრამ სრულიად შესაფერისი გრაფიტის საფარით; R3 - მავთული (ნიკრომი - 0,056 Ohm/cm). ტრანზისტორი VT2 მოთავსებულია ფარფლიან გამათბობელზე, რომლის გამაგრილებელი ზედაპირია დაახლოებით 700 სმ ნებისმიერი ტიპის ელექტროლიტური კონდენსატორით. სტრუქტურულად, წრე მზადდება ბეჭდური მიკროსქემის დაფაზე, რომელიც მდებარეობს ტრანზისტორი VT2-თან ახლოს. 12 ვოლტიანი ბატარეების დასატენად უნდა გაითვალისწინოთ დამტენის ქსელის ტრანზისტორის მეორად გრაგნილზე ალტერნატიული ძაბვის 6 ვ-ით გაზრდის შესაძლებლობა. ეს წრე გამოიყენებოდა ისევე, როგორც მიმაგრება ელექტრომომარაგებაზე...

მიკროსქემისთვის "დამტენი მანქანის ბატარეებისთვის"

საავტომობილო ელექტრონიკის დამტენი მანქანისთვის K. SELYUGIN, ნოვოროსიისკი, კრასნოდარის ტერიტორია მათ არ მოსწონთ მჟავა ბატარეები ხანგრძლივი ყოფნასამუშაოს გარეშე." ღრმა თვითგამორთვა შეიძლება დამღუპველი აღმოჩნდეს მათთვის. თუ მანქანა დიდხანს არის გაჩერებული, მაშინ ჩნდება პრობლემა: რა უნდა გააკეთოს ბატარეასთან. ან ეძლევა ვინმეს სამუშაოდ, ან იყიდება, რომელიც თანაბრად მოუხერხებელია მე გთავაზობთ საკმაოდ მარტივ მოწყობილობას, რომელიც შეიძლება გამოყენებულ იქნას როგორც ბატარეებისთვის, ასევე მათი გრძელვადიანი შენახვისთვის, ტრანსფორმატორის T1-ის მეორადი გრაგნილიდან, რომელშიც დენი შემოიფარგლება პირველადთან ბალასტური კონდენსატორის გრაგნილი (C1 ან C1 + C2), დენი მიეწოდება დიოდურ-ტირისტორულ ხიდს, რომელიც არის დატენვის ბატარეა (GB1) როგორც მარეგულირებელი ელემენტი, 14 V საავტომობილო გენერატორი. გამოიყენება ნებისმიერი ტიპის ძაბვის რეგულატორი (GVR), რომელიც განკუთვნილია დამიწებული ჯაგრისის მქონე გენერატორებისთვის. +" GB1. "W" ტერმინალი დაკავშირებულია ტირისტორის მართვის ელექტროდების წრედთან. ამრიგად, on ბატარეა 14 ვ ძაბვა შენარჩუნებულია დამუხტვის დენზე, რომელიც განისაზღვრება C2 კონდენსატორის ტევადობით, რომელიც დაახლოებით გამოითვლება ფორმულით: სადაც Iз არის დამტენის დენი (A), U2 არის მეორადი გრაგნილის ძაბვა, როდესაც ტრანსფორმატორი "ნორმალურად არის" ” ჩართულია (V), U1 არის ქსელის ძაბვა - ნებისმიერი , mo...

სქემისთვის "ბატარეების პულსის დიაგნოსტიკა"

ზე გრძელვადიანი შენახვადა არასათანადო ექსპლუატაციაში, ფირფიტებზე ჩნდება ტყვიის სულფატის დიდი უხსნადი კრისტალები. თანამედროვე დამტენების უმეტესობა მზადდება მარტივი სქემის მიხედვით, რომელიც მოიცავს ტრანსფორმატორს და გამსწორებელს. მათი გამოყენება გამიზნულია ბატარეის ფირფიტების ზედაპირიდან სამუშაო სულფიტაციის მოსაშორებლად, მაგრამ მათ არ შეუძლიათ ძველი უხეში კრისტალური სულფიტაციის ამოღება. მოწყობილობის მახასიათებლებიბატარეის ძაბვა, სიმძლავრე 12V, Ah 12-120 გაზომვის დრო, s 5 პულსის გაზომვის დენი, A 10 დიაგნოზირებული სულფაციის ხარისხი, % 30. ..100მოწყობილობის წონა, გ 240სამუშაო ჰაერის ტემპერატურა, ±27°C ტყვიის სულფატის ფოლადებს აქვთ მაღალი წინააღმდეგობა, რაც ხელს უშლის დამუხტვისა და გამონადენის დენის გავლას. როგორ შევამოწმოთ k174ps1 მიკროსქემის ძაბვა ბატარეაზე სწორ დროს დამუხტვაიზრდება, დამუხტვის დენი მცირდება და უხვი გამონადენიჟანგბადისა და წყალბადის ნარევებმა შეიძლება გამოიწვიოს აფეთქება. განვითარებულ პულსის დამტენებს შეუძლიათ დამუხტვაგარდაქმნის ტყვიის სულფატს ამორფულ ტყვიად და შემდეგ დეპონირდება კრისტალიზაციისგან გაწმენდილი ფირფიტების ზედაპირზე, დატვირთვის ქვეშ მყოფი ძაბვის მნიშვნელობიდან გამომდინარე, რეზისტორი R14 ადგენს სულფატის შესაბამის როლს PA1 მოწყობილობის მასშტაბით საშუალო პოზიციით. რეზისტორების R2, R8 და R11 სლაიდერები. მოწყობილობის ჩვენებები რეგულირდება რეზისტორით R11 ცხრილში მოცემული მონაცემების მიხედვით.

მიკროსქემისთვის "ავტომატური დამტენი Ni-Cd ბატარეებისთვის"

ელექტრომომარაგება ავტომატური დამტენი Ni-Cd ბატარეებისთვისHuynh Trung Hung, პარიზი, საფრანგეთითუმცა ეფექტური გზა არსებობს დამუხტვანიკელ-კადმიუმის (დატენვის) ბატარეები, აღწერილი წრე უნიკალურია იმით, რომ აერთიანებს მათ თითქმის ყველა უპირატესობას. ასე რომ, ის წარმოქმნის მუდმივ დატენვის დენს, რომლის როლი შეიძლება იყოს 0,4-1,0 ა დიაპაზონში. წრე შეიძლება მუშაობდეს 220 ვ AC ქსელიდან ან 12 ვ ბატარეიდან. დატენვის ბატარეა დაცულია გადატვირთვისგან წყალობით ავტომატური გამორთვა სქემაროდესაც ბატარეის მითითებულ ძაბვის დონეს მიაღწევს. უფრო მეტიც, იგივე დონის რეგულირება შესაძლებელია. დაბოლოს, ჩართვა იაფია და მოკლე ჩართვაზე დამცავია, თუ ბატარეა დაბალია, ძაბვა ოპ-ამპ U1-ის ინვერსიულ შეყვანაზე უფრო დაბალი იქნება, ვიდრე ძაბვა არაინვერსიულ შეყვანაზე დაყენებული პოტენციომეტრით R1 (იხ. სურათი). შედეგად, U1-ის გამომავალი ძაბვა იქნება დაახლოებით ტოლი დადებითი მიწოდების ძაბვისა, რომელიც ჩართავს ტრანზისტორი Q1-ს, ასევე ტრანზისტორი Q2-ს, რომელიც იმუშავებს როგორც მუდმივი დამუხტვის დენის გენერატორი. ტრიაკი TS112 და მასზე არსებული სქემები ამ დენის დონე შეიძლება მოიძებნოს თანაფარდობიდან (Vd-Vbe)/R6, სადაც Vd არის ძაბვა მის ფუძესა და ემიტერს შორის. ეს დენი, რომელიც შემდგომ მიედინება დიოდის D8-ში, დამუხტავს Ni-Cd ბატარეას. ამ შემთხვევაში, LED D7 ანათებს, რითაც მიუთითებს დატენვის პროცესის მიმდინარეობაზე და წარმოადგენს ოპერაციული რეჟიმის ინდიკატორს, როდესაც ბატარეა იზრდება, მასზე ძაბვა იზრდება, რაც იწვევს ძაბვის ზრდას ინვერსიულ შეყვანაში. სანამ ის ვინის ტოლია. სწორედ ამ მომენტში U1-ის გამომავალი ძაბვა ეცემა დამიწების პოტენციალს და ტრანზისტორები Q1 და Q2 გამორთულია, რაც ხელს უშლის ბატარეის გადატვირთვას. მითითებული ზღვრული გამომავალი ძაბვის დონე, Vout, შეუძლია...

სქემისთვის "მშრალი უჯრედების დატენვა"

დღესდღეობით დიდი არსენალი გამოიყენება კომპიუტერული ტექნოლოგიადა საყოფაცხოვრებო ტექნიკა, რომლებსაც აქვთ ცალკე ელექტრომომარაგების ბლოკი (PSU), რომლებიც უზრუნველყოფენ გამოსწორებულ DC ძაბვას 5 - 25 ვ. ზოგიერთ შემთხვევაში, ეს მოწყობილობები იშლება და PSU რჩება უმოქმედო, ხოლო ზოგ შემთხვევაში, ეს მოწყობილობები გამოიყენება ძალიან იშვიათად. მე გირჩევთ გამოიყენოთ კვების წყარო დამუხტვა 316, 326, 332, 343 ტიპის მშრალი ელემენტები. ელექტრომომარაგების დიაგრამა (იხ. ნახატი) გამოსახულია ტირეული ხაზით, თუ ის არ არის ხელმისაწვდომი, შეგიძლიათ თავად გააკეთოთ კვების ბლოკი (ბევრი ლიტერატურა არსებობს; ეს საკითხი). სქემა ამისთვის დამუხტვამშრალი ელემენტები შედგება შემდეგი ელემენტები: რეზისტორი R1, ორი LED HL1, HL2 და შტეფსელი XP1. LED-ები ტიპის AL307 სხვადასხვა ფერები. ერთ-ერთი LED-ის (მაგალითად, HL1) პარალელურად, ჩვენ ვამაგრებთ ტერმინალებს მშრალი ელემენტის GB1-ის დასაკავშირებლად. ვინაიდან GB1 დაკავშირებულია LED-ის პარალელურად, ამ უკანასკნელის სიკაშკაშე, ოჰმის კანონის მიხედვით, დამოკიდებულია მშრალი ელემენტის გამონადენის ხარისხზე (სრულად გამორთვისას, არ არის ბზინვარება). როგორც დამუხტვამშრალი ელემენტი GB1, LED HL1-ის სიკაშკაშე იზრდება. ტემპერატურის რეგულატორის წრე, რომელიც დაფუძნებულია ტრიაკზე, LED-ების HL1 და HL2 იგივე ნათება მიუთითებს დატენვის დასრულებაზე. ჩვენ ვირჩევთ რეზისტორ R1-ს LED I1-ის დასაშვებ სამოქმედო დენზე, რომელიც არის 20 mA და ელექტრომომარაგების ძაბვის Ubp. R1 = Ubp / I1 = Ubp /0.02 = 50 Ubp. ჩვენ ვამრგვალებთ რეზისტორის როლს სტანდარტულ მნიშვნელობამდე. ვინაიდან რეზისტორი R1 მუშაობს დიდი ხნის განმავლობაში, მისი სიმძლავრე მიიღება 1 W. დიზაინის მახასიათებლებიდამტენი დამოკიდებულია გამოყენებული მშრალი უჯრედების ტიპზე. ასეთი ელემენტის დაყენების სოკეტი შეიძლება გულდასმით ამოიჭრას ჩავარდნილი პლასტიკური კორპუსიდან ელექტრონული საათი. ის ასევე შეიძლება გამოყენებულ იქნას პატარა ბატარეებისთვის მცირე დიზაინის ცვლილებებით. ავტორმა ეს მოწყობილობა გამოიყენა...

პირველი მიახლოებით, კონტროლერი შეიძლება შევადაროთწყლის ონკანის სარქველი. ის არეგულირებს ბატარეების დატენვის დენს ფოტოელექტრული მოდულებიდან

ავტონომიური კვების სისტემითშეიცავს მრავალჯერადი დატენვის ბატარეებს, უნდა შეიცავდეს ბატარეის დამუხტვისა და განმუხტვის კონტროლერს. თუ ბატარეა 50%-ზე მეტ კრიტიკულ დონემდეა დაცლილი, მისი მომსახურების ვადა მკვეთრად მცირდება. თუ ბატარეა დამუხტულია, მაგრამ დატენვის დენი აგრძელებს მასში გადინებას, ამან შეიძლება გამოიწვიოს ელექტროლიტის ადუღება, გაზის ევოლუცია ან დალუქული ბატარეების შეშუპება.

ამრიგად, ელექტრომომარაგების ავტონომიურ სისტემაში შეყვანილია მოწყობილობები, რომლებიც წყვეტენ დატვირთვას ბატარეებიდან, თუ ისინი დაუშვებლად განმუხტავს, ასევე გათიშავს ენერგიის წყაროს (ფოტოელექტრული ბატარეა, გენერატორი), თუ ბატარეები დატენულია. დამუხტვის კონტროლერები განსხვავდებიან დატენვის ალგორითმში დატენვის ბოლო ეტაპზე, როდესაც მიიღწევა ინფიცირებული ბატარეის ძაბვა.

უმარტივესი კონტროლერები უბრალოდ თიშავენ ენერგიის წყაროს (მზის ბატარეას), როდესაც ბატარეაზე ძაბვა დაახლოებით 14,4 ვ-ს მიაღწევს (ბატარეისთვის ნომინალური ძაბვით 12 ვ). როდესაც ბატარეის ძაბვა ეცემა დაახლოებით 12,5-13 ვ-მდე, მზის ბატარეა ხელახლა ჩართულია და დატენვა განახლდება. ამავდროულად, ბატარეის მაქსიმალური დატენვის დონეა 60-70%. რეგულარული დატენვით, ბატარეის ხანგრძლივობა მკვეთრად მცირდება.

PWM დამუხტვა

ჩვენს ვებსაიტზე წარმოდგენილია უფრო მოწინავე კონტროლერები ამერიკული კომპანიისგანᲪისკრის ვარსკვლავირომლებიც დატენვის ბოლო ეტაპზე იყენებენ დამუხტვის დენის ე.წ. პულსის სიგანის მოდულაციას (PWM) ან ინგლისურ აბრევიატურას PWM (Პულსის მოდულაცია). ამ შემთხვევაში ბატარეის დატენვა შესაძლებელია 100%-მდე. მოკლედ, ბატარეის დატენვის ეტაპი შეიძლება აღწერილი იყოს შემდეგნაირად:

ბატარეა იღებს მთელ დენს მზის მოდულებიდან. დროთა განმავლობაში, ბატარეაზე ძაბვა იზრდება.

PWM დამუხტვა. ბატარეის დატენვისას (ძაბვა იზრდება), დენი მცირდება. კონტროლერი იწყებამუდმივი ძაბვის შენარჩუნება მუხტის დენის ფართო პულსური მოდულაციის გამო. ეს ხელს უშლის ბატარეის გადახურებას.

მხარდაჭერის გადასახადი. როდესაც ბატარეა სრულად დატენულია, ძაბვა მცირდება. ბატარეა ინახება დატვირთული.

MPPT ფუნქცია

უახლესი თაობის კონტროლერებს აქვთ ძალიან ღირებული ფუნქცია - მაქსიმალური სიმძლავრის წერტილის ძიება (Maximal Power Point Tracking, MPPT). MorningStar კონტროლერებს აქვთ ეს ფუნქცია TriStar MRRT. მისი არსი იმაში მდგომარეობს, რომ მზის პანელებით გამომუშავებული ელექტროენერგია მაქსიმალურად იყოს გამოყენებული დატვირთვაში (რა თქმა უნდა, თუ ეს არ გამოიწვევს გადახრას ბატარეების მუშაობის განსაზღვრული სტანდარტებიდან). მზის ბატარეას აქვს დენის ძაბვის მახასიათებელი, რომელიც ნაჩვენებია ფიგურაში.

უკიდურესი წერტილები მასზე არის სტრესის წერტილი უსაქმური მოძრაობა(I=0), რომელიც ასახავს ბატარეის ემფს და მოკლე ჩართვის დენის წერტილს. მზის ბატარეებს არ ეშინიათ მოკლე ჩართვის, ასე რომ თქვენ შეგიძლიათ გაზომოთ მოკლე ჩართვის დენი მხოლოდ ამპერმეტრის ბატარეის ტერმინალებთან შეერთებით. ამ შემთხვევაში მთელი გამომუშავებული ენერგია სითბოს სახით გამოიყოფა თავად ბატარეაზე. იგივე ხდება, თუ ბატარეასთან საერთოდ არ არის დაკავშირებული დატვირთვა. როდესაც დატვირთვა უკავშირდება ბატარეას, ენერგიის ნაწილი გამოიყოფა მასზე. როგორც დატვირთვის წინააღმდეგობა მცირდება, ძაბვა თავდაპირველად ოდნავ დაეცემა და დენი გაიზრდება. შესაბამისად, გაიზრდება დატვირთვაზე მიწოდებული სიმძლავრე. რაღაც მომენტში "C", დატვირთვის მიერ გამოთავისუფლებული სიმძლავრე აღწევს მაქსიმუმს, რის შემდეგაც, წინააღმდეგობის შემდგომი შემცირებით, დატვირთვაზე ძაბვა მკვეთრად იწყებს ვარდნას და მასთან ერთად გამოდის სიმძლავრე.

წერტილი "C" ეწოდება მაქსიმალური სიმძლავრის წერტილს. მასში ძაბვისა და დენის მნიშვნელობა დამოკიდებულია რამდენიმე პარამეტრზე. ეს არის ბატარეის სიმძლავრე, სინათლის წყაროს სიკაშკაშე, სხივების დაცემის კუთხე და ბატარეის ტემპერატურა. ყველა ჩამოთვლილი პარამეტრი, გარდა პირველისა, მუდმივად იცვლება დროთა განმავლობაში, რაც იწვევს გრაფიკის შესაბამის ცვლილებას და მასზე „C“ წერტილის პოზიციას. შესაბამისად, იმისთვის, რომ გამომუშავებული ენერგია ბატარეის მუშაობისას მაქსიმალურად გადავიდეს დატვირთვაზე, აუცილებელია დატვირთვის წინააღმდეგობა გარკვეულწილად შეიცვალოს მზის ბატარეის მიმდინარე პარამეტრებთან ადაპტაციით. დატენვის პროცესში ბატარეა გარკვეული გაგებით მოქმედებს როგორც დატვირთვის წინააღმდეგობა. მისი შიდა წინააღმდეგობის სიდიდე ასევე დამოკიდებულია ზოგიერთ პარამეტრზე, ძირითადად დატენვის ხარისხზე, რომელზეც ასევე დამოკიდებულია ბატარეის ემფ. თუ თქვენ აკავშირებთ ბატარეას პირდაპირ მზის ბატარეის ტერმინალებთან, დენი გადის წრეში.

ამის ძაბვაწრედში დამოკიდებულია რამდენიმე პარამეტრზე და ზოგადად არ ემთხვევა ძაბვას "C" წერტილში. შესაბამისად, გამომუშავებული ენერგია მთლიანად არ გადაეცემა დატვირთვას. მზის პანელსა და ბატარეას შორის დამონტაჟებული MPPT ფუნქციის მქონე კონტროლერი გარდაქმნის მისგან მიწოდებული დენის პარამეტრებს ისე, რომ მზის პანელზე ძაბვა ყოველთვის შეესაბამებოდეს მაქსიმალურ დენის ძაბვას. ტესტებმა აჩვენა, რომ MPPT კონტროლერის გამოყენება აუმჯობესებს ეფექტურობას მზის პანელები 20-25%-ით, განსაკუთრებით მოღრუბლულ ამინდში.

დამტენი UC3842/UC3843-ისთვის ძაბვისა და დენის რეგულირებით

აქ აღწერილი დამტენი შექმნილია ტყვიის მჟავა ბატარეების დასატენად. არსებობს ორი კორექტირება: ძაბვა და დენი. როდესაც ერთ-ერთი ასეთი კორექტირება ხდება, შესაბამისი LED ანათებს, რაც ძალიან მოსახერხებელია. წრე და ბეჭდური მიკროსქემის დაფა აღებულია რადიოკატების ფორუმიდან:

მოწყობილობა აწყობილია საერთო UC3842/UC3843 მიკროსქემზე. ჩვენ უკვე აღვწერეთ მისი გამოყენება დენის წყაროებში. ამ წრეში რეგულირება ხდება 1 პინზე. დენის ნაწილი სტანდარტულია, მიკროსქემა იკვებება ცალკე გრაგნილიდან დაბრუნების ინსულტზე.

დააწკაპუნეთ გასადიდებლად
ძაბვისა და დენის კორექტირება განხორციელდა ფორუმის წევრი FolksDoich-ის სქემის მიხედვით. TL431 შეიცავს საცნობარო ძაბვის წყაროს. ძაბვის და დენის კორექტირება ხდება LM358 op-amp-ის ნახევრებზე. თუ იყენებთ LED-ებს, როგორც VD6 და VD7, ისინი მიუთითებენ მიმდინარე კორექტირებაზე მათი ნათებით, რაც შეიძლება სასარგებლო იყოს. მაგალითად, თუ VD7 LED განათებულია, მაშინ ხდება დენის შეზღუდვა. იგივე VD6, მაგრამ ძაბვის თვალსაზრისით.

ეს წრე შექმნილია ბატარეის დასატენად 6 ამპერამდე დენით, ამიტომ შემოთავაზებულია გამომავალი ოთხი ელექტროლიტური კონდენსატორის პარალელურად გატარება, რადგან მაღალი დენით ერთი დიდხანს არ იმუშავებს. რა თქმა უნდა, ყველა მათგანი უნდა იყოს დაბალი ESR.

როგორ შეიძლება ამ სქემის გაუმჯობესება? თუ იყენებთ მას არა დამტენის, არამედ ელექტრომომარაგების ასაწყობად, რომელიც რეგულირდება გარკვეულ ფარგლებში, მაშინ შეგიძლიათ გააკეთოთ წინა სტატიაში აღწერილი ჩვეულებრივი გაუმჯობესება. კერძოდ, შეგიძლიათ UC3842/UC3843 მიკროსქემის ჩართვა პირდაპირ რეჟიმში და გამოიყენოთ ცალკე ტრანსფორმატორის გრაგნილი op-amp და PC817 გასაძლიერებლად. ეს ყველაფერი გამართლებულია მხოლოდ იმ შემთხვევაში, თუ საჭიროა ძაბვის რეგულირების დიაპაზონის გაფართოება.

LED-ების გარდა, წრე შეიძლება დაემატოს ამპერმეტრით და ვოლტმეტრით, როგორც მაჩვენებლით, ასევე ციფრული მოწყობილობებით, რომლებიც აჩვენებენ ძაბვისა და დენის მნიშვნელობას და, შესაძლოა, ასევე გამოთვალონ დატვირთვის სიმძლავრე და აკონტროლონ გაგრილების ვენტილატორი.

ზე სწორი არჩევანის გაკეთებადენის ველის ეფექტის ტრანზისტორი, მისი გათბობა უნდა იყოს უმნიშვნელო. უნდა აღინიშნოს, რომ დიაგრამაში მათ დაავიწყდათ 2.2 nF კონდენსატორის დახატვა ცხელ და ცივ ნაწილებს შორის.

PCB: დამტენი_12v_6a.lay6

ამ სქემის კიდევ ერთი ვარიაციაა ამ ფორმით:

დააწკაპუნეთ გასადიდებლად
ბეჭდური მიკროსქემის დაფები FolksDoich-ისგან სხვადასხვა სიმძლავრის მოწყობილობებისთვის, მეორე დაფა - 10 ამპერამდე. UC384x ჩიპი განთავსებულია ცალკე პატარა დაფაზე, რომელიც ვერტიკალურად არის დამონტაჟებული მთავარზე.

კიდევ ერთი დამტენი იკრიბება საკვანძო დენის სტაბილიზატორის მიკროსქემის მიხედვით, ბატარეაზე მიღწეული ძაბვის მონიტორინგის ერთეულით, რათა უზრუნველყოს მისი გამორთვა დატენვის ბოლოს. გასაღების ტრანზისტორის გასაკონტროლებლად გამოიყენება ფართოდ გამოყენებული სპეციალიზებული მიკროსქემა TL494 (KIA491, K1114UE4). მოწყობილობა უზრუნველყოფს დატენვის დენის რეგულირებას 1 ... 6 ა (მაქს. 10 ა) და გამომავალი ძაბვის 2 ... 20 ვ.

საკვანძო ტრანზისტორი VT1, დიოდი VD5 და დენის დიოდები VD1 - VD4 მიკას სპაზერების საშუალებით უნდა დამონტაჟდეს საერთო რადიატორზე 200 ... 400 სმ2 ფართობით. წრეში ყველაზე მნიშვნელოვანი ელემენტია ინდუქტორი L1. მიკროსქემის ეფექტურობა დამოკიდებულია მისი წარმოების ხარისხზე. როგორც ბირთვი, შეგიძლიათ გამოიყენოთ პულსის ტრანსფორმატორი 3USTST ტელევიზორის კვების წყაროდან ან მსგავსი. ძალიან მნიშვნელოვანია, რომ მაგნიტურ ბირთვს ჰქონდეს სლოტის უფსკრული დაახლოებით 0,5 ... 1,5 მმ, რათა თავიდან აიცილოს გაჯერება მაღალი დენებისაგან. შემობრუნების რაოდენობა დამოკიდებულია კონკრეტულ მაგნიტურ წრეზე და შეიძლება იყოს 15 ... 100 ბრუნი PEV-2 2.0 მმ მავთულის დიაპაზონში. თუ შემობრუნებების რაოდენობა გადაჭარბებულია, მაშინ ისმის რბილი სასტვენის ხმა, როდესაც წრე მუშაობს ნომინალური დატვირთვით. როგორც წესი, სასტვენის ხმა ისმის მხოლოდ საშუალო დინების დროს, ხოლო მძიმე დატვირთვისას ინდუქტორის ინდუქციურობა ბირთვის მაგნიტიზაციის გამო ეცემა და სტვენა ჩერდება. თუ სასტვენის ხმა ჩერდება დაბალ დენებზე და დატვირთვის დენის შემდგომი მატებით, გამომავალი ტრანზისტორი იწყებს მკვეთრად გაცხელებას, მაშინ მაგნიტური ბირთვის ფართობი არასაკმარისია არჩეული გენერაციის სიხშირეზე მუშაობისთვის - აუცილებელია გაზარდეთ მიკროსქემის მუშაობის სიხშირე რეზისტორი R4 ან C3 კონდენსატორის არჩევით ან უფრო დიდი ინდუქტორის დაყენებით. p-n-p სტრუქტურის დენის ტრანზისტორის არარსებობის შემთხვევაში, მძლავრი ტრანზისტორი შეიძლება გამოყენებულ იქნას წრეში. n-p-n სტრუქტურები, როგორც ეს სურათზეა ნაჩვენები.

როგორც დიოდი VD5 ინდუქტორის წინ, მიზანშეწონილია გამოიყენოთ ნებისმიერი ხელმისაწვდომი დიოდები Schottky ბარიერით, შეფასებული მინიმუმ 10A დენისთვის და ძაბვისთვის 50V უკიდურეს შემთხვევაში, შეგიძლიათ გამოიყენოთ საშუალო სიხშირის დიოდები KD213; KD2997 ან მსგავსი იმპორტირებული. რექტიფიკატორისთვის შეგიძლიათ გამოიყენოთ ნებისმიერი მძლავრი დიოდი 10A დენით ან დიოდური ხიდი, მაგალითად KBPC3506, MP3508 ან მსგავსი. მიზანშეწონილია დაარეგულიროთ შუნტის წინააღმდეგობა წრეში საჭირო მნიშვნელობამდე. გამომავალი დენის რეგულირების დიაპაზონი დამოკიდებულია მიკროსქემის 15 გამომავალი წრეში რეზისტორების წინააღმდეგობების თანაფარდობაზე. დიაგრამაზე დენის კონტროლის ცვლადი რეზისტორის სლაიდერის ქვედა პოზიციაში, მიკროსქემის 15 პინზე ძაბვა უნდა ემთხვეოდეს შუნტზე არსებულ ძაბვას, როდესაც მასში მაქსიმალური დენი გადის. ცვლადი დენის კონტროლის რეზისტორი R3 შეიძლება დაყენდეს ნებისმიერი ნომინალური წინააღმდეგობით, მაგრამ თქვენ უნდა აირჩიოთ ფიქსირებული რეზისტორი R2 მის მიმდებარედ, რათა მიიღოთ საჭირო ძაბვა მიკროსქემის 15 პინზე.
ცვლადი გამომავალი ძაბვის რეგულირების რეზისტორს R9 ასევე შეიძლება ჰქონდეს ნომინალური წინააღმდეგობის ფართო დიაპაზონი 2 ... 100 kOhm. რეზისტორის R10 წინააღმდეგობის არჩევით დგინდება გამომავალი ძაბვის ზედა ზღვარი. ქვედა ხაზიგანისაზღვრება R6 და R7 რეზისტორების წინააღმდეგობების თანაფარდობით, მაგრამ არასასურველია მისი დაყენება 1 ვ-ზე ნაკლები.

მიკროსქემა დამონტაჟებულია პატარა ბეჭდურ მიკროსქემზე 45 x 40 მმ, მიკროსქემის დარჩენილი ელემენტები დამონტაჟებულია მოწყობილობის ბაზაზე და რადიატორზე.

გაყვანილობის დიაგრამა ბეჭდური მიკროსქემის დაფის დასაკავშირებლად ნაჩვენებია ქვემოთ მოცემულ ფიგურაში.

PCB პარამეტრები lay6-ში

ჩვენ ვამბობთ მადლობას გიხდით ბეჭდებისთვის კომენტარებში დემო

წრეში გამოიყენებოდა გადაბრუნებული TS180 დენის ტრანსფორმატორი, მაგრამ საჭირო გამომავალი ძაბვებისა და დენის სიდიდიდან გამომდინარე, ტრანსფორმატორის სიმძლავრე შეიძლება შეიცვალოს. თუ საკმარისია გამომავალი ძაბვა 15 ვ და დენი 6 ა, მაშინ საკმარისია სიმძლავრის ტრანსფორმატორი 100 ვტ სიმძლავრით. რადიატორის ფართობი ასევე შეიძლება შემცირდეს 100...200 სმ2-მდე. მოწყობილობა შეიძლება გამოყენებულ იქნას როგორც ლაბორატორიული ელექტრომომარაგება რეგულირებადი გამომავალი დენის შეზღუდვით. თუ ელემენტები კარგ სამუშაო მდგომარეობაშია, წრე დაუყოვნებლივ იწყებს მუშაობას და მხოლოდ კორექტირებას საჭიროებს.

წყარო: http://shemotechnik.ru